الاعطال المرتبطة بمنظمات الجهد Voltage Regulators

الاعطال المرتبطة بمنظمات الجهد
Voltage Regulators

أولا : مقدمة عن منظمات الجهد : -

• تعتبر منظمات الجھد Voltage Regulators من العناصر الھامة في دوائر قسم التغذیة بالقدرة Power Circuit Section الموجود على اللوحة الام .
• الھدف من وجود منظمات للجھد على اللوحة الأم ھو الحصول على جھد تغذیة منتظم لتشغیل العناصر الأساسیة على اللوحة الأم مثل المعالج Processor وال Chipset , بالإضافة إلى الدوائر المتكاملة الأخرى التي تؤدي الوظائف المختلفة للوحة الأم .
• تستخدم كذلك دوائر تنظیم للجھد لتغذیة فتحة التوسعة Expansion Slot من نوع AGP الخاصة ببطاقة العرض Display Card .

• ترتبط الأعطال في منظمات الجھد Voltage Regulators ارتباطا وثیقا بأعطال الملفات والمكثفات، وخاصة تلك التي تقوم بتنعیم الجھد الداخل من وحدة التغذیة بالقدرة Power Supply إلى اللوحة الأم .
• تستخدم كمنظمات للجھد على اللوحة الأم إما ترانزستورات من نوع MOSFET أو ثنانيات Diodes من نوع Schottky Diodes .
• تتشابھ ترانزستورات MOSFET وثنائیات Schottky في الشكل الخارجي كثیرا، ولكن یمكن تحدید ما إذا كانت القطعة المقصودة أیا منھما بالإستعانة بالرموز المكتوبة علیھا للحصول على Datasheet لهذه القطعة .
• بعض اللوحات الأم تستخدم ترانزستورات MOSFET وثنانيات Schottky معا لبناء دوائر تنظیم الجھد .
• عادة ما تتواجد ترانزستورات MOSFET المسئولة عن تنظیم الجھد في صورة مجموعات، تتكون كل منھا من 2 أو 3 ترانزستورات حسب تصمیم اللوحة الأم .
• عادة ما تتواجد على اللوحة الأم مجموعتین من ترانزستورات MOSFET المسئولة عن تنظیم الجھد. ویكون الطرف الأوسط للترانزستورات في مجموعة واحدة فقط منھا متصلا مباشرة بمصدر التغذیة V5+ القادم من وحدة التغذیة بالقدرة Power Supply ویمكن التأكد من ذلك بتشغیل اللوحة الأم وقیاس الجھد على الطرف الأوسط لكل MOSFET منھا باستخدام جھاز الملتیمیتر .
• یلاحظ أن الطرف الأوسط لترانزستور MOSFET یكون متصلا كھربیا بموضع لحام ال MOSFET على اللوحة الأم .

تبین الصورة التالیة مجموعة من المكثفات ومنظمات الجھد التالفة :




ثانيا : قواعد تغيير منظمات الجهد : -

1 - الترانزستور MOSFET :
عند تغییر ترانزستور من نوع MOSFET تالف بآخر سلیم، لیس من الضروري أن یكون الترانزستور السلیم مطابق للتالف بنسبة 100 % وإنما یكفي أن یشترك معھ في بعض الخصائص الأساسیة، وھي :

1. النوع P-channel أو : N-channel .
2. جهد البوابه Regular Level Gate Voltage أو Gate Voltage: Logic Level Gate Voltage .
3. Power, Voltage, & Current Ratings .
4. مقاومة التوصيل On-Resistance .
   

2 - الثنانى schottky :
عند تغییر ثنائي من نوع Schottky تالف بآخر سلیم، لیس من الضروري أن یكون الثنائي السلیم مطابق للتالف بنسبة 100 %، وإنما یكفي أن یشترك معھ بعض الخصائص الأساسیة، وھي :

1. Power, Voltage, & Current Ratings .
2. الانحیاز الأمامي Forward Voltage .

• یسمح لترانزستور MOSFET أو ثنائي Schottky البدیل أن یكون لھ Power, Voltage, & Current Ratings أعلى من الترانزستور أو الثنائي التالف ولا يسمح بالعكس .
• یسمح لمقاومة التوصیل On-Resistance لترانزستور MOSFET البدیل أن تكون مساویة أو أقل قلیلا من الترانزستور التالف، ولا یسمح لھا بأن تأخذ قيمة أعلى .
• یسمح لجھد الانحیاز الأمامي Forward Bias Voltage لثنائي Schottky البدیل أن یكون مساویا أو أقل قلیلا من الثنائي التالف، ولا یسمح لھ بأن يأخذ قيما أعلى .
• لا ینصح باستعمال قطع بدیلة مكافئة من نوع NTE لوجود اختلافات جذریة في خصائصھا عن القطع الأصلیة .
• یمكن فك ترانزستور MOSFET أو ثنائي Schottky التالف من اللوحة الأم ولحام البدیل السلیم مكانھ إما باستخدام كاویة اللحام العادیة (على ألا تقل قدرتها عن 50 WAT ) أو باستخدام جهاز ال ( Hot Air Jet ) وھو ما أنصح بھ شخصیا لتجنب إلحاق تلفیات باللوحة الأم .
• في حالة ما إذا كانت اللوحة الأم التي یتم تغییر ترانزستور MOSFET أو ثنائي Schottky لھا مستخدمة لمدة طویلة، فإنھ ینصح كذلك بتغییر مكثفات التنعیم Smoothing Capacitors القريبة .
• بعد تغییر ترانزستورات MOSFET أو ثنائیات Schottky للوحة الأم، ینصح باختبار درجة حرارة القطع التي تم تغییرھا وكذلك تلك التي لم یتم تغییرھا والتأكد من أنھا في الحدود الطبیعیة (وھي درجة حرارة الغرفة). أما إذا وجد أن درجة حرارة القطع التي تم تغییرھا أعلى من الطبیعي فإن ھذا قد یعني ضرورةتغییر الدائرة المتكاملة المسئولة عن تنظیم ومراقبة الجھد VRM (Voltage Regulator & Monitor) والتي تقوم بتشغیل منظمات الجھد ھذه .

ملحوظة :
قبل اختبار ال MOSFET إن كان تالفا أم لا، ینبغي فكھ أولا من اللوحة الأم .